Ibm: super memoria più veloce delle flash

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Ibm ha appena festeggiato un secolo di attività e i suoi ricercatori annunciano di aver sviluppato una memoria “istantanea” che promette di leggere e scrivere 100 volte più velocemente di una memoria ti tipo flash.

“Le memorie a cambiamento di fase di iBm sono più affidabili e più capienti”

Super flash - 100 anni di attività e una memoria 100 volte più veloce di una memoria Flash. A distanza di qualche giorno dal suo compleanno centenario, i ricercatori di Ibm hanno annunciato di aver sviluppato un nuovo tipo di memoria a cambiamento di fase (PCM) in grado di leggere e scrivere 100 volte più velocemente i dati rispetto a una tradizionale flash, che garantisce milioni di scrittura cicli - a differenza delle sole migliaia della flash, e che è pure economica in modo da poter essere utilizzata sia su potenti server aziendali sia sui telefoni cellulari.

Memoria affidabile - Le memorie a cambiamento di fase non sono un'invenzione dell'ultima ora. Le PCM si basano su una lega speciale che può essere “spinta” ad assumere diversi stati fisici tramite scosse elettriche controllate. Una tecnologia che però in passato ha mostrato dei limiti come la tendenza degli stati a “rilassarsi” e aumentare propria la propria resistenza elettrica nel corso del tempo portando ad errori di lettura. A cui si aggiunge il limite fisico di ogni cellula che poteva memorizzare solo singoli bit di dati. Gli ingegneri di Ibm sostengono di aver risolto questi problemi è che le loro PCM sono più affidabili e in grado di memorizzare fino a quattro bit di dati per cella. (gt)Silvia Ponzio

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